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IRF7328TRPBF  与  BSO303P H  区别

型号 IRF7328TRPBF BSO303P H
唯样编号 A-IRF7328TRPBF A-BSO303P H
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 30 V 2 W 52 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 21mΩ@8A,10V 21mΩ
上升时间 - 13ns
Qg-栅极电荷 - -36nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 27S
封装/外壳 8-SO -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 8A 8.2A
配置 - Dual
长度 - 4.9mm
下降时间 - 39ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2675pF @ 25V -
高度 - 1.75mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
典型关闭延迟时间 - 55ns
FET类型 P-Channel 2P-Channel
系列 HEXFET® OptiMOSP
通道数量 - 2Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2675pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 78nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 11ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 78nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7328TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
FDS4935BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOIC 8-SOIC

暂无价格 22,500 对比
FDS4935BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOIC 8-SOIC

¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
1,250: ¥2.211
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DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥3.388 

阶梯数 价格
20: ¥3.388
26 对比
FDS4935BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOIC 8-SOIC

¥0.9398 

阶梯数 价格
1: ¥0.9398
1 对比
BSO303P H Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO303PHXUMA1_4.9mm

暂无价格 0 对比

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